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?市場(chǎng)認(rèn)為國(guó)內(nèi)硅晶圓會(huì)過(guò)度投資，我們認(rèn)為國(guó)內(nèi)硅晶圓產(chǎn)業(yè)起點(diǎn)低、起步晚，且長(zhǎng) 晶技術(shù)是決定硅片參數(shù)的核心環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在爐內(nèi)溫度的熱場(chǎng)和控制晶體形狀的 磁場(chǎng)設(shè)計(jì)能力。硅拋光晶圓的主要技術(shù)指標(biāo)包括直徑、晶體工藝、摻雜劑、晶向、電阻 率、厚度等，其他質(zhì)量指標(biāo)包括缺陷密度、氧含量、碳含量、翹曲度等，其中大部分參
?在過(guò)去五十多年中，從肖克萊等人發(fā)明**個(gè)晶體管到超大規(guī)模集成電路出現(xiàn)，硅半導(dǎo)體工藝取得了一系列重大突破，使得以硅材料為主體的CMOS集成電路制造技術(shù)為主流，逐漸成為性能價(jià)格比**異、應(yīng)用最廣泛的集成電路產(chǎn)業(yè)。如果說(shuō)在亞微米/深亞微米(Sub-Micron)時(shí)代，器件的主要bottleneck在熱載流子效應(yīng)(HCE: Hot Carrier Eff
?為何SOI在射頻類芯片中超受歡迎？寄生電容??；集成密度高；速度快什么是SOISOI全稱為Silicon-On-Insulator，即絕緣襯底上的硅，該技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。原理就是在硅晶體管之間，加入絕緣體物質(zhì)，可使兩者之間的寄生電容比原來(lái)的少上一倍。形成SOI材料的技術(shù)有以下3類：注入氧分離技術(shù)（Separatio
?石英玻璃以其優(yōu)良的理化性能，被大量廣泛用于半導(dǎo)體技術(shù)，新型電光源，彩電熒光粉生產(chǎn)，化工過(guò)程，超高電壓收塵、遠(yuǎn)紅外輻射加熱設(shè)備、航空航天技術(shù)、某些武器及光學(xué)儀器的光學(xué)系統(tǒng)、原子能技術(shù)、浮法玻璃及元堿玻璃窖的耐火材料，特種玻璃用坩堝，儀器玻璃成型部料碗，紫外線殺菌燈，各種有色金屬的生產(chǎn)等諸多領(lǐng)域。石英玻
?藍(lán)寶石是氧化鋁的單晶，屬三方晶系、六方結(jié)構(gòu)，其晶體結(jié)構(gòu)是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵型式結(jié)合而成，排列十分緊密，具有較強(qiáng)的結(jié)合鏈和晶格能量，同時(shí)其晶體內(nèi)部幾乎沒(méi)有雜質(zhì)或缺陷，因此具有出色的電絕緣性、透明度、良好的導(dǎo)熱性和高剛性特性，廣泛用作光學(xué)窗口及高性能基板材料。不過(guò)藍(lán)寶石分子結(jié)構(gòu)復(fù)雜且存在各
?在半導(dǎo)體制造中，硅片常使用100晶向的取向，這是因?yàn)?00晶向具有以下優(yōu)勢(shì)和適用性：1. 基礎(chǔ)晶體結(jié)構(gòu)：硅的晶體結(jié)構(gòu)是面心立方（FCC），其中(100)晶向是最密堆積的晶面。這意味著(100)晶向的硅片在晶格結(jié)構(gòu)上具有較高的平坦度和晶格參數(shù)的一致性，使其更適合用作半導(dǎo)體器件的基板材料。2. 制造工藝優(yōu)勢(shì)：(100)晶向的硅片在制
?多晶和單晶在本征半導(dǎo)體中，晶胞間不是規(guī)則排列的，好似方塊雜亂無(wú)章地堆起來(lái)一樣，每個(gè)方塊代表一個(gè)晶胞，我們稱之為多晶結(jié)構(gòu)；當(dāng)晶胞整潔而有規(guī)則地排列時(shí)，我們稱其具有單晶結(jié)構(gòu)。單晶結(jié)構(gòu)的材料相對(duì)于多晶結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)具有更一致和更可預(yù)測(cè)的性質(zhì)，單晶結(jié)構(gòu)允許在半導(dǎo)體里一致和可預(yù)測(cè)性的電子流動(dòng)，所以單晶結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體器
?藍(lán)寶石主要生產(chǎn)方法的優(yōu)缺點(diǎn)：
?首先，這三個(gè)參數(shù)越小越好，TTV，Bow，Warp越大對(duì)于半導(dǎo)體制程的負(fù)面影響越大，因此如果三者的值超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)，硅片就要報(bào)廢。對(duì)光刻過(guò)程的影響：焦深問(wèn)題: 在光刻過(guò)程中，可能會(huì)導(dǎo)致焦點(diǎn)深度的變化，從而影響圖案的清晰度。對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題: 可能會(huì)導(dǎo)致晶圓在對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中的偏移，進(jìn)一步影響層與層之間的對(duì)準(zhǔn)精度。對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光的影響
?硅片面型參數(shù)Bow，Warp，TTV是芯片制造必須要考慮的因素，十分重要。這三個(gè)參數(shù)共同反映了硅片的平面度和厚度均勻性，對(duì)于許多芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟都有直接影響。什么是TTV，Bow，Warp？TTV（Total Thickness Variation）TTV 是硅片的**厚度和最小厚度之間的差異。這個(gè)參數(shù)是用來(lái)衡量硅片厚度均勻性的一個(gè)重要指標(biāo)。
?一：光學(xué)玻璃行業(yè)中的面型是什么意思？面型是光學(xué)制造中的重要精度指標(biāo)之一，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)是表面不平整度；這就好像鋪水泥路面，鋪的好的表面很平整，沒(méi)有坑坑洼洼，車子開(kāi)過(guò)去好的路面很平穩(wěn)、不好的坑坑洼洼的，就顛簸得厲害！面型的兩個(gè)參數(shù)PV和RMS值，PV是表示路面的最高處與最低處的差值，RMS值是全部路面高低的平均值；因
?釔鋁石榴石，簡(jiǎn)稱YAG，化學(xué)式為Y3Al5O12，屬于立方晶系，具有石榴石結(jié)構(gòu)。YAG晶體在自然界中不存在，是一種人造的化合物，純凈產(chǎn)品外觀為無(wú)色透明晶體狀，摻雜其他元素后顏色會(huì)發(fā)生改變。YAG具有質(zhì)地均勻、硬度高、熔點(diǎn)高、抗熱蠕變性好、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、不溶于水、不易被硫酸/鹽酸/硝酸等強(qiáng)酸腐蝕等特點(diǎn)，是性能優(yōu)良的激
?磷化銦是磷和銦的化合物，磷化銦作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良特性。使用磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長(zhǎng)適宜光纖低損通信、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底可被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。文章為了讓大家能夠更多的了解磷
?人類對(duì)于藍(lán)寶石的認(rèn)識(shí)始于中世紀(jì)，歐洲寶石匠將藍(lán)色的剛玉晶體稱為Sapphire，這個(gè)詞來(lái)自拉丁語(yǔ)中的Sapphirus(藍(lán)色)，也有語(yǔ)言學(xué)家認(rèn)為這個(gè)詞來(lái)自梵語(yǔ)Shani,意為“親愛(ài)的土星”。 狹義的藍(lán)寶石是指藍(lán)色的藍(lán)寶石；國(guó)標(biāo)中規(guī)定的藍(lán)寶石，是除紅色以外的所有寶石級(jí)的剛玉的統(tǒng)稱，顏色非常豐富，常見(jiàn)的包括藍(lán)色
?01晶體材料半導(dǎo)體材料硅的制備半導(dǎo)體器件或者電路實(shí)在半導(dǎo)體材料晶圓表層形成的，用量最廣的還是半導(dǎo)體硅，這些晶圓的雜質(zhì)含量必須很低，必須是指定的晶體結(jié)構(gòu)，必須是光學(xué)表面，并達(dá)到指定的電氣性能和對(duì)應(yīng)的相應(yīng)規(guī)格要求。我們都知道Si在自然界中大量的存在，半導(dǎo)體制造的**階段便是從沙石中選取和提純半導(dǎo)體材料的原料
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上海鑫科匯新材料有限公司主要產(chǎn)品包括藍(lán)寶石晶圓、襯底、晶棒、窗口材料，碳化硅晶圓、襯底，鍺窗口材料，硅晶圓、硅錠以及莫桑料，K9玻璃材料，砷化鎵，氮化鎵,SOI材料等。公司擁有兩個(gè)生產(chǎn)基地并和國(guó)內(nèi)多家供應(yīng)商保持良好的供應(yīng)關(guān)系，供應(yīng)鏈穩(wěn)定，質(zhì)量保障，量大價(jià)優(yōu)。歡迎新來(lái)客戶咨詢。
