鍺襯底晶片
鍺單晶片是重要的半導(dǎo)體襯底材料,有著良好的半導(dǎo)體性質(zhì),如電子遷移率、空穴遷移率等等。主要用于地面聚光光伏電站(CPV)、空間太陽(yáng)能電池板以及超高亮度的LED襯底材料。
鑫科匯可提供低位錯(cuò)或零位錯(cuò)錯(cuò)襯底,規(guī)格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根據(jù)客戶需求,定制非標(biāo)厚度和晶向的Ge襯底。
單位 半導(dǎo)體型 規(guī)格 | |||||
導(dǎo)電類型 | n型 | p型 | |||
晶體生長(zhǎng)方式 | CZ/VGF | ||||
摻雜 | Sb | Ga | |||
尺寸 | inch | 2", 3", 4" and 6" | 2", 3",4" and 6" | ||
晶向* | (100)±0.5° | (100)±0.5° | |||
OF/IF | US, EJ US.EJ | ||||
電阻率(室溫) | ohm.cm | 0.002-40 0.002-0.005 | |||
位錯(cuò)密度(EPD) | /cm2 | - ≤300 | |||
激光打標(biāo) | 按客戶要求定制 | ||||
成品厚度* | um | (175-500)±25 | |||
TTV平整度 | μm | ≤15 | ≤15 | ||
翹曲度 | um | ≤25 ≤25 | |||
主面/背面 | Sidel | 拋光 | 拋光 | ||
Side2 | 腐蝕/Grinding | 腐蝕/Grinding | |||
開(kāi)盒即用 | 是 | ||||
包裝 | 單片盒或多片盒 |