上海鑫科匯信息技術有限公司是國內專業(yè)生產藍寶石晶體,碳化硅單晶,單晶硅片,以及InP,ZnSe窗口,鍺窗口材料等。公司擁有自己的工廠分別位于江蘇無錫和湖北武漢,是國內較早專業(yè)提供半導體晶圓的公司。
其中,單晶硅產品主要包括:2寸、4寸、6寸、8寸、12寸等尺寸齊全,P型、N型,晶向110,111,能夠滿足不同客戶用途的需求。科大量現貨供應。部分產品的參數表如下:
上海鑫科匯新材料有限公司 產品規(guī)格書
shanghai xinkehui new material Co., Ltd Product Spec.
產品名稱/ Product | 4 英寸單拋硅片 | 版本 | A |
規(guī)格號 /Spe. No. | JX-2019-05-13-06 | 編制日期 /Date | 2019-05-13 |
項目/ Exam Item | 規(guī)格/Spec. | 備注/ Remark | |
1.1 晶體參數 Cryscal | |||
拉晶方式/ Growth method | CZ | / | |
晶向及偏離度/ Orientation | <100>/<110> | / | |
1.2 電學參數 Electrical | |||
型號 / Type | /P | / | |
摻雜劑 /Doping | /B | / | |
電阻率 Resistivity (ohm-cm) | 見硅片外包裝標注值電阻率判定標準:中心點 | ||
電阻率徑向變化 Resistivity variation (%) | 15% | 測試方法:國標 B方案 計算公式:(Pmax-Pmin)/Pmin | |
壽命 / Minority-Carrier Lifetime (us) | / | / | |
1.3 結構參數 Structural | |||
位錯密度 Dislocation Density (ea/cm2) | 無 free | / | |
微缺陷 | 無 free | / | |
氧含量 Oxygen Conc. (atm/cm3) | 8.00E+17 | / | |
氧的徑向梯度 | / | / | |
碳含量 Carbon Conc. (atm/cm3) | 5.00E+16 | / | |
1.4 機械參數 Mechanical | |||
直徑及公差/ Diameter (mm) | 100±0.2 | / | |
主參考面 Primary Flat | 方向 Orientation (deg) | / | |
長度 length (mm) | / | ||
副參考面 Secondary Flat | 方向 Orientation (deg) | / | |
長度 length (mm) | / | ||
倒角 Edge profile | 半角 half angle (Deg) | 22±1° | |
邊緣類型 /Type | 標準倒角 | ||
厚度 Thickness (um) | 見硅片外包裝標注值 | / | |
彎曲度 Bow (um) | <30 | / | |
翹曲度 Warp (um) | <30 | / | |
總厚度變化 TTV (um) | <10 | / | |
總平整度 TIR (um) | <10 | / | |
局部平整度 STIR(um)(15mm*15mm) | <3 | / |
什么是半導體硅片
硅片又稱硅晶圓片, 是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手 段,可以制成集成電路和各種半導體器件。硅片是以硅為材料制造的片狀物體,直徑有 6英寸、 8 英寸、 12 英寸、18英寸等規(guī)格。單晶硅是硅的單晶體,是一種比較活潑的非金屬元素,具有基本完整的點陣結構。不同的方向具有不同的性質,是一種良好的半導材料。純度要求達到 99.9999%,甚至達到 99.9999999%,雜質的含量降到 10-9的水平。采用西門子法可以制備高純多晶硅,然后以多晶硅為原料,采用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長 出棒狀單晶硅。單晶硅圓片按其直徑主要分為 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸及 18 英寸等。
半導體材料分為晶圓制造材料和封裝材料。晶圓制造材料可以進一步細 分為硅片及硅基材料、光掩模板、電子氣體、光刻膠、光刻膠輔助材料、 CMP 拋光材料、工藝化學品、靶材及其他材料。而封裝材料可以進一步 細分為封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、芯片粘結 材料和其他封裝材料。
半導體硅片是全球應用最廣泛、最重要的半導體基礎材料,是制造芯片的基本襯底材料,也是唯一貫穿各道芯片前道制程的半導體材料,目前全球半導體市場中,90%以上的芯片和傳感器都是基于硅材料制造而成,其在晶圓制造材料中占比**。